Samsung анонсировала 3D-память нового поколения, в то время как мы просто хотим доступную DDR5
Новая технология выглядит впечатляюще, но большую ее часть поглотят ИИ-дата-центры.
Samsung
Раньше было приятно наблюдать, как Samsung анонсирует новейшую 3D-память или накопители V-NAND, ведь все мы могли рассчитывать на то, что наши ПК станут загружаться быстрее, а файлы — открываться шустрее. Теперь же компания анонсировала свои новые память и накопители следующего поколения, и хотя эта технология выглядит впечатляюще, удручает осознание того, что большую ее часть поглотят дата-центры для искусственного интеллекта.
На выставке Future of Memory and Storage (FMS) в Санта-Кларе компания Samsung представила первые концептуальные модели zHBM на базе памяти HBM, которая используется преимущественно в дата-центрах, ИИ-ускорителях и небольшом количестве топовых видеокарт. zHBM — это новая архитектура памяти, которая вертикально размещает HBM прямо над ИИ-ускорителями (а не рядом с ними, как раньше), что помогает повысить производительность до восьми раз. В ней также используется технология соединения пластин нового поколения, обеспечивающая плотность памяти более чем в 10 раз выше по сравнению с текущей технологией HBM5 и одновременно увеличивающая энергоэффективность в три раза.
Samsung также представила новый тип памяти V-NAND, используемый в SSD, картах памяти и других типах накопителей. Получившая название V10 BV-NAND, она использует новую архитектуру связывания V-NAND от компании для объединения более чем 400 слоев ячеек памяти. Это увеличивает плотность памяти примерно на 58 процентов по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно повышая производительность чтения, записи и ввода-вывода.
Компания также представила zNAND-O — решение V-NAND нового поколения, сочетающее в себе «высокую эффективность использования пространства, улучшенную производительность ввода-вывода и низкую задержку», ориентированное на периферийные ИИ-среды (edge AI). Наконец, Samsung продемонстрировала LPDDR5X-PIM — первую в отрасли память LPDDR с технологией обработки данных внутри самой памяти (processing-in-memory), созданную для выполнения вычислений прямо в памяти в целях повышения эффективности.
Наряду с SK Hynix, компания Samsung является одной из двух компаний, контролирующих большую часть производства памяти. Как хорошо известно читателям Engadget, обе компании не успевают справляться со спросом на память, созданным текущим «пузырем» в сфере искусственного интеллекта. Это, в свою очередь, приводит к безумным ценам на электронику всех видов — от игровых консолей до смартфонов и ноутбуков.